我国氮化镓激光芯片重要突破

夜色笼罩实验室，蓝光显微镜下指甲盖大小的晶圆正泛着幽光。中科院半导体所的工程师老李搓了搓通红的眼睛，记录本上密密麻麻的数据突然跳出一个理想数值——他们打磨三年的氮化镓激光芯片，终于突破了120瓦功率阈值。

这种被业内称为"半导体金字塔尖"的材料，过去长期被日德企业垄断。五年前团队在苏州建产线时，连衬底材料都要看外商脸色。老李记得有次进口设备突发故障，德国工程师隔着视频慢悠悠指挥："先等两周零件海运。"如今他们自主研发的垂直结构芯片，在散热效率和光电转化率上反超国际竞品3个百分点。

隔壁实验室的小张常开玩笑说这玩意儿金贵得像"玻璃心"，稍有不慎就"罢工"。但正是这颗"玻璃心"，让国产激光雷达用上了自家"心脏"。上汽的工程师上周来做测试，原本需要进口的激光模组，现在用国产芯片就能实现200米探测距离，成本直降四成。

产线上的老师傅们最实在。他们用游标卡尺量着芯片厚度，0.2毫米的氮化镓外延层要沉积二十多次，每层误差不能超过头发丝的百分之一。"跟绣花似的"，王师傅边说边调整分子束外延机的参数，背后墙上的生产看板显示良品率已稳定在92%。

夜市烧烤摊的烟火气里，老李给团队年轻人点了份小龙虾。玻璃杯碰撞声中，有人提起日本同行最新的论文。"让他们追吧，"他夹起一筷子蒜蓉粉丝，"咱们的下一代器件，该轮到他们来拆解了。"